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FFPF10UA60ST
—
Ultrafast II Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF10UA60ST Rev. C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF1
IF
= 10 A
IF
= 10 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
1.8
1.7
2.3
2.2
V
IR1
VR
= 600 V
TC = 25oC
VR
= 600 V
TC = 125oC
-
-
-
-
100
500
?A
trr
Irr
Qrr
IF
= 10 A, di
F/dt = 200 A/?s
TC = 25oC
74
6
213
120
10
600
ns
A
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
10
-
-
mJ
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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